2024. 11. 23. 22:52ㆍ반도체 공정
패터닝 불량과 해결책
(1) 2차원적 불량 ( 위에서 봤을 때 관찰가능한 불량 )
1) 종류
a) CD(Critical Dimension) 불량 : 패턴의 크기가 목표보다 크거나 작아지는 불량
b) LER(Line Edge Roughness) : 패터닝의 거칠기정도
c) LWR(Line Width Roughness) : 거친 패턴으로 인한 CD의 산포
2) LER,LWR의 해결책
a) 화학증폭형 PR에서 PEB를 통해 증폭 과정을 거침
--> 빛을 조금 받은 부분도 반응이 일어나게 유도
∵ LER, LWR은 빛을 받는 양의 국부적 차이로 인해 발생
b) PR에 쬐는 빛의 양을 늘림
c) PR 물질의 빛 민감도가 높은 형태로 개선 필요
∵ 빛의 양이 너무 적으면 Signal에 비해 Noise가 많아짐 ( by 빛의 파동성 )
--> 빛 받는양의 국부적 차이로 이어짐
** Critical Dimension (CD) : 큰 의미에서의 선폭의미
** CD의 종류
a) ADI CD (After Develop Inspection ) : 포토 공정 이후 CD
b) ACI CD (After Clean inspection ) : etch, clean등 공정 이후 최종 CD
c) BAR CD : 패턴의 CD
d) Space CD : 패턴과 패턴 사이의 CD
(2) 3차원적 불량 : 형상(Profile) 불량
1) 종류
a) Profile각도 불량 (85도 이하로 내려갈 경우)
b) T- shape : HMDS, NH3등 공정 중 이용하는 액체/기체로 표면 오염
--> 산이 오염물질에 중화되어 PR development중 윗부분이 완벽하게 안될 수 있음.
c) Footing : 계면 기판 염기성분이 PR과 만나 중화
d) Undercut : PR의 산 성분이 기판으로 침투
2) 해결책
a) Profile각도 불량문제
--> Dose와 초점심도로 조절가능
b) T-shape, Footing, Undercut
--> 하부기판의 보호로 완화 (ex. BARK)
** 정상파 : 파동인 빛이 고정면에 부딪히면 입사파와 반사파에 의해 정상파 발생
그대로 현상 진행시 정상파 따라 물결무늬 발생
--> 해결책 : ARC, PEB
(3) ARC ( Anti-reflection coating)
: PR 상부혹은 하부에 도포해 PR의 반사를 막고, 상쇄간섭을 통해 정상파 현상 방지
1) TARC
- 너무 두꺼우면 PR에 도달하는 빛의 양 문제 발생할 수 O
- PR과 함께 제거되어 공정 쉬움
2) BARC
- PR 흡수 빛의 양에 영향주지 X (빛의 양 민감한 미세공정에 이용)
- PR과 계면 사이에 위치해 계면 상태에 따른 PR 오염 방지
- 별도의 식각공정 필요
'반도체 공정' 카테고리의 다른 글
포토공정Ⅲ (0) | 2024.12.02 |
---|---|
포토공정 Ⅰ (Photolithography) (0) | 2024.11.21 |
반도체 공정 : 플라즈마 (0) | 2024.11.20 |
Wafer 공정 (0) | 2024.11.18 |
반도체 공정 전반 (0) | 2024.11.10 |