반도체 면접 준비(2)
-
포토공정 Ⅰ (Photolithography)
1.포토공정의 과정 (1) HMDS: 웨이퍼 표면을 친수성에서 소수성으로 바꿈 --> HMDS는 기존의 친수성 표면을 C,H의 결합으로 이루어진 hydrophobic group으로 대체함. ∵ PR은 무극성 유기 화합물이라 소수성이므로 부착성을 높이기 위해선 웨이퍼가 소수성이 되야함.(2) PR 도포 ( spin coating ) : PR 점도 & 회전속도 조절 --> PR 두께 조절(3) Soft bake : PR내 용매 제거 ( 90~110도 : PR 특성에 영향 주지 않는 저온 ) - 후속공정에서의 문제 제거 (ex. 노광 시 발생하는 N2에 의한 버블링 ) - 코팅 과정에서 발생한 stress에 의한 점착력 약화 개선(4) Exposure : 마스크를 대고 빛을 쏘아 웨이퍼 위..
2024.11.21 -
반도체 공정 : 플라즈마
1. 플라즈마의 정의와 생성 원리 (1) 플라즈마 : 전자 + 이온 + 라디칼 + 중성 입자로 구성된 기체 (이온과 전자 공존) --> 기체가 전기적으로 분리된 상태이므로 부분적으로 전기적 특성을 띰 ( 고/액/기와 달리 ) (2) 생성원리 자유전자가 외부 전기장에 의해 가속 --> 기체입자(중성)와 충돌 : 이온화 --> 이온화된 양이온 Cathode에 충돌 --> Secondary electron 발생 --> 반복되면서 전자 증폭 : Avalanche --> Plasma생성 1) 이온화 : 이온 + 새로운 자유전자 ( 새 전자는 또 반응에 참여 ) 2) Excitation (여기) : 충돌 전자의 E가 충분하지 X ( Relaxation되어 빛방출) ..
2024.11.20