2. 웨이퍼 레벨 패키지 재료(1) 포토 레지스트 1) 구성 ① Sensitizer (PAC/PAG) : 빛과 반응해 이미지 형성 ② 수지 (Resin) : 에칭이나 전해도금시 배리어 역할 ③ 솔벤트 (Solvent) : PR에서 점도 만들어 도포 가능하게 2) 종류 (Positive 기준) ① 용액 억제형 (Photo Active Compound, PAC) a) 노광부 : PAC 분해로 용해 촉진 ㄴ PAC는 알칼리 불용성 => 빛 받으면 알칼리 가용성 (산) b) 비노광부 : PAC 수지 가교로 용해 방해 ㄴ Resin은 알칼리 가용성 => 분..

1. 컨벤셔널 패키징 재료 (3) 접착제 ※ 요변성(Thixotropy) : 고분자 물질이 외력에 의한 구조변화로 점도가 변화하는 정도 점도(Viscosity) : 유체의 끈끈거리는 정도 1) 조건 ① 신뢰성 ↑ : 접착력↑ 흡습율↓ 이온불순물↓ 기계적 물성 최적화(Tg, CTE, Modulus) ② 공정 품질 확보 : 재료 흐름성↑ 접착 계면 Wettability↑ Void 발생↓ 계면 접착력↑ => 점도, 요변성(Thixotropy), 경화 특성 최적화 필요 ③ 액상 접착제 사용시 주의사항 - Bond line : 칩이 Pad에 접착된 부분 - Fillet : 액상인 접착제의 표면장력 때문에 칩 옆..

1. 컨벤셔널 패키징 재료※ 재료 종류① 원재료 (패키지 구성 재료 : 공정 품질 및 제품 신뢰성 영향) 유기물 복합재료 : 접착제, 서브스트레이트, EMC 금속재료 : 리드 프레임, 와이어, 솔더 볼 ② 부재료 (패키지 도중 사용후 제거) 테이프류, Flux (1) 리드 프레임 1) 구조 ① 금속판 : Alloy42 (Si와 열팽창 계수 유사) Cu (열전도 ↑ , 전기전도도 ↑) ② 은 도금부 : 와이어 본딩 위치 + 와이어와 접착 성능 ↑ ③ 댐바 : 각 Lead를 지지 + 몰딩 시 완전 충진을 위한 완충 댐(?) ④ 패드 : 칩이 붙는 부분 ⑤ 락킹 홀 (Locking hole) : EMC가 위 아래를 채워 lead 지지력을..

포토공정웨이퍼에 빛에 반응하는 감광제를 도포한 후, 원하는 모양의 마스크를 통해 빛을 조사해,빛에 노출된 영역을 현상하여 원하는 패턴을 만드는 공정 1. 과정 (1) PR 도포 (Photoresist coating)(2) 열처리(Soft Bake) : Sovent 성분 제거 => 점성을 가진 PR이 흘러내리지 X + 두께 유지 위함(3) 노광(Exposure) : Positive (빛 받은 부분 약해짐) / Negative (빛 받은 부분 단단)(4) 현상(Develop) : PR에서 구조가 약해진 부분을 현상액으로 녹여내는 공정2. PR 도포방법(1) 스핀코팅 (Spin coating) ① PR을 가운데에 떨어뜨린 후 웨이퍼를 회전시켜 원심력에 의해 균일 두께로 도포 ② 점도↑ 회전속도↓ ..

2. Wafer level Package(5) TSV 공정 1) TSV 패키지 공정 (Via middle 기준) ①~④ 웨이퍼 공정에서 Via 형성 ⑤~⑥ 웨이퍼 앞면 Solder bump 형성 ⑦~⑨ Carrier wafer를 붙여 Back grinding ⑩ 뒷면에 bump 형성 ⑪~⑫ 칩단위로 Dicing 2) TSV 형성 공정 ① FEOL : CMOS를 wafer에 형성 ② HM Patterning : Hard Mask로 패턴형성 (TSV 형성 위치) ③ TSV etching : Si Dry etching해 깊은 trench 형성 ④ Dielectric CVD : Oxide같은 절연막 증착 (채울 Cu를 Si와 절연+그라인딩시 Cu로 인한 S..

2. Wafer Level Package 공정※ 웨이퍼 레벨 패키지① Fan in WLCSP② Fan out WLCSP③ RDL④ Flip chip⑤ TSV (③ ④ ⑤는 전체 패키지 공정의 일부를 웨이퍼 상태로 진행. 넓은 의미에서 포함한 것.) ※ 일반적인 공정 순서① 소자 구현되어 테스트 끝난 웨이퍼② 절연층을 웨이퍼에 형성 (Photo 공정으로 패드부분만 노출)③ 금속층 sputtering④ Photo 공정으로 전해 금속층 Pattern 형성⑤ 전해 금속층 형성후 PR strip + Wet etch (남은 금속층 제거) --> Pattern의 역할따라 패키지 종류 구분 (배선 역할 = Fan in / 패드 재배열 = RDL / 범프 = Flip chip) ※금속층 역할 a) 전..