반도체 테스트

2024. 12. 30. 16:03반도체 후공정

 

온도별 테스트 속도별 테스트 동작별 테스트
Hot test Core test DC test
Cold test Speed test AC test
Room test   Function test

 

1. 반도체 테스트의 종류

(1)  형태별 테스트

   - 웨이퍼 테스트

   - 패키지 테스트

 

(2)  온도별 테스트 ( 각 온도에서 정상작동 여부 + 온도 마진 시험 )

   -  고온 : spec상 최대온도의 10%이상 인가

   -  저온 : 최저온도보다 10% 이하

   -  상온 : 25

 

(3)  속도별 테스트

   -  코어 테스트 : 본래 목적한 동작을 잘 수행하는지

           (ex) 메모리 반도체 : 정보 저장하는 셀에서 저장이 잘되는지 평가 및 검증

   -  스피드 테스트

 

(4)   동작별 테스트

   -  DC 테스트 : 전류를 DC로 인가 ( IV로 나타날 수 있는 항목 평가 )

   -  AC 테스트 : 전류를 AC로 인가 ( AC 동작특성 평가 - 스위칭 시간 )

   -  기능 테스트 : 정상동작 여부

 

 

2. 웨이퍼 테스트  ( EPM --> 웨이퍼 번인 --> 테스트 --> 리페어 --> 테스트 )

** Probe Card (프루브 카드)

   - 웨이퍼 형태일 경우에 전기적 연결을 위해 필요 ( 패키징 완료 제품 : 솔더볼 有 )

   - 웨이퍼 패드와 물리적 연결을 위해 수많은 탐침이 카드위에 형성

   - 탐침 형태에 따른 종류 : 바늘형 (꺾여있음) / 수직형 (수직)

   - 양산에서는 수직형 많이 이용 + 2~3번 접촉으로 모든 칩 테스트 될 수 있도록 구성

SK hynix NewsRoom

 

(1) EPM ( Electrical Parameter Monitoring )

  :  제품 단위 소자의 전기적 특성 평가 분석 --> 웨이퍼 제작 공정에 피드백 ( 불량 찾기 X )  

   

   - 설계/소자 부서에서 제시한 제품의 특성 만족하는지 검사 : 트랜지스터 특성, 접촉 저항 등  

   - 소자의 전기적 특성을 통해 DC parameter 추출 + 단위 소자의 특성 모니터링 가능

 

(2) Wafer burn in ( 웨이퍼 번인

  : 제품이 가진 잠재적 불량을 유도하여 초기 불량을 미리 선별하기 위한 과정

    ( 제품을 바로 고객에게 줄 경우 초기 불량에 의한 불만 발생 가능성 )

 

   웨이퍼 상태의 제품에 온도와 전압을 인가 (스트레스 인가)

    --> 초기 불량 기간에 나타날 수 있는 불량 드러나게 함

SK hynix Newsroom

1) 초기불량 : 제품 제조상 불량

2) 사용 수명 기간 불량 : 불량률 감소

3) 마모불량 : 수명이 다하면 불량률 증가

 

(3) 테스트 : 웨이퍼 레벨에서 칩의 전기적 특성을 검사

 

   - 불량칩 사전 검출 ( 패키지/실장에서 발생할 불량 미리 선별 )

   - 웨이퍼 레벨 불량 원인 분석 & 제조공정 피드백

   - 웨이퍼 레벨 분석 --> 소자/설계 피드백

   - 불량인 셀 일부는 리페어를 통해 여분의 셀로 대체 가능

 

(4) 리페어불량 셀을 여분의 셀로 대체하는 리페어 알고리즘에 의해 수행 )

 --> 여분의 셀을 줄/열 단위로 미리 만들어 놓은 뒤,

       불량 파트를 단선시키고 여분 파트를 연결하는 과정 

 

     - 양품인 칩이 증가하고, 수율이 증가

     - 여분의 셀을 만듬 : 공간을 차지하고, 칩 크기 증가

          ∴ 공정 능력을 고려하여 수율 증가를 최대화할 수 있는 수준의 여분 셀을 제작

               ( ex. 공정 능력 좋다면 여분의 셀 적게 )

 

     -  형태에 따른 분류 : (Column) 단위 리페어/ (Raw) 단위 리페어

     -  연결 끊는 방식에 따른 분류

        1) 레이저 리페어 : 레이저 배선을 태워 불량 셀 연결을 끊음

                                   ( 칩 외부에서 물리적 인가 )

            외부에서 배선에 레이저 쏠 수 있도록 배선 노출 되어야함

             --> 패드 주변에 칩의 보호층이 벗겨진 영역 제작

            패키지 테스트 공정 X ( 패키지공정 이후엔 칩 표면이 덮힘 ) 

            웨이퍼 테스트 공정 O

 

       2) e-퓨즈 리페어 : 회로적으로 배선에 높은 전압/전류를 인가해 배선을 끊음

           보호층 벗겨진 영역 만들 필요 X
           패키지 테스트 공정 O

           웨이퍼 테스트 공정 O

 

 

3. 패키지 테스트

   - 웨이퍼 테스트상 양품 판정된 칩에 대해 패키지 테스트 진행, 이후 한번 더 패키지 테스트 진행

   - 원하는 테스트 충분히 가능

     ( 웨이퍼 테스트 : 동시에 여러 칩을 테스트 한다는 점에서 테스트 장비의 성능 한계문제 발생 )

   - 웨이퍼 테스트시 양품인 제품이 패키지 공정상 이슈로 불량 발생 가능

   - 패키지의 핀( 솔더볼 )이 아래로 가도록 소켓에 넣음 : 소켓의 핀 - 솔더볼 접촉

     이후, 소켓을 패키지 테스트 보드에 장착하고 테스트

SK hynix Newsroom

 

   (1) TDBI ( Test During Burn in ) : 패키지 제작후 실시하는 번인

 

   (2) 테스트

       - 데이터 시트에 정의된 동작이 사용자 환경에서 정상적 작동하는지 판단

       - 온도 코너 테스트

         --> 제품에 AC/DC 인자 약점, & 페리영역상 고객 요구동작이 스펙 만족하는지 검증 

 

   (3) Visual 검사 (외관)

       고객 출하전 최종적인 외관 불량도 선별

       보디 : 균열 / 마킹 오류 / 트레이에 잘못 담은 것 선별

       솔더 볼 : 볼눌림 / 볼이 없는 것 선별

 

출처 : 반도체의 부가가치를 올리는 패키지와 테스트 (서민석 저) , SK hynix newsroom

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